800v碳化硅平臺(tái)的技術(shù)原理是什么？

800V碳化硅平臺(tái)的技術(shù)原理是基于提升功率的需求，利用碳化硅材料特性實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。功率與電壓、電流相關(guān)，提升電流會(huì)致發(fā)熱劇增，提高電壓更為直接。碳化硅硬度高、導(dǎo)熱佳，適合高壓環(huán)境。800V平臺(tái)中用的碳化硅基MOSFET比400V平臺(tái)的硅基IGBT，系統(tǒng)效率更高、尺寸重量更小。該平臺(tái)從充電到電驅(qū)等多方面實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，帶來(lái)更優(yōu)性能 。

在充電環(huán)節(jié)，800V碳化硅充電技術(shù)的核心在于將低壓交流電在車(chē)內(nèi)轉(zhuǎn)換為高壓直流電給電池充電。當(dāng)充電槍頭連接車(chē)輛端，充電樁提供低壓輔助直流電源激活車(chē)輛BMS后，車(chē)輛和充電樁會(huì)交換充電參數(shù)。隨后根據(jù)車(chē)輛需求和充電樁能力，800V快充系統(tǒng)一般在750 - 900V運(yùn)行，常見(jiàn)充電功率350kW 或更高。先是恒流充電階段，快速填充大部分電量，之后電量達(dá)到一定程度切換到恒壓模式，抑制電芯極化效應(yīng)，最后電池充滿(mǎn)或達(dá)到預(yù)設(shè)充電量時(shí)停止充電并斷開(kāi)連接，這一過(guò)程由BMS精確控制。

電驅(qū)系統(tǒng)方面，碳化硅技術(shù)的應(yīng)用有著重要意義。在電機(jī)運(yùn)行時(shí)，逆變器將直流電壓轉(zhuǎn)換為脈沖電壓，產(chǎn)生諧波交流電流。SiC - MOSFET的應(yīng)用滿(mǎn)足了高電壓平臺(tái)需求，能降低電機(jī)諧波損耗。因?yàn)镾iC功率器件比硅更高效，可實(shí)現(xiàn)更高開(kāi)關(guān)頻率，提高電機(jī)效率。其材料特性、模塊設(shè)計(jì)及控制技術(shù)相結(jié)合，組成高效牽引系統(tǒng)，在WLTP循環(huán)中，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)效率可提高4 - 8%。

此外，800V碳化硅平臺(tái)還有升壓技術(shù)、分壓技術(shù)等多種方式來(lái)保障其高效運(yùn)行。車(chē)端升壓、電機(jī)升壓等手段各有優(yōu)勢(shì)，關(guān)鍵組件如碳化硅器件、液冷系統(tǒng)等協(xié)同工作。

800V碳化硅平臺(tái)憑借獨(dú)特的技術(shù)原理，在充電與電驅(qū)等多領(lǐng)域發(fā)力，提升了系統(tǒng)效率，降低了損耗，為汽車(chē)行業(yè)的電氣化發(fā)展帶來(lái)了新的動(dòng)力與可能，推動(dòng)著汽車(chē)性能不斷邁向新高度。